지식재산 판매 | 고성능 단일 트랜지스터 플로팅 바디 DRAM 소자 및 그 제조 방법
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작성자 이성 국제특허법률사무소 작성일18-12-12 13:20 조회3,364회 댓글0건첨부파일
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지식재산종류 | 특허 | 국가 | 한국 |
명칭 | 고성능 단일 트랜지스터 플로팅 바디 DRAM 소자 및 그 제조 방법 | ||
권리자(출원인) | 서울대학교산학협력단 | 발명자 | 이종호 |
출원일 | 2009.02.19. | 출원번호 | 10-2009-0013849 |
공개일 | 2010.08.27. | 공개번호 | 10-2010-0094732 |
등록일 | 2011.10.07. | 등록번호 | 10-1073643 |
지식재산 개요 및 특징 | 본 발명의 목적은 셀 커패시터를 사용하지 않는 고성능 단일 트랜지스터 DRAM 셀 소자를 제공하는 것이다. 본 발명의 소자는 이중-게이트 구조를 갖고 있으며, 하부에 비휘발성 기능을 위한 게이트 스택과 제어전극을 구비하고 있으며, 상부에는 게이트 전극을 갖고 있다. 하부의 비휘발성 기능을 갖춤으로서 “쓰기1”과 “쓰기0” 사이의 센싱(sensing) 마진(margin)을 크게 하고 유지(retention) 특성을 크게할 수 있다. 특히, 셀 소자의 소스와 드레인 영역이 상기 제어전극 위에 형성된 게이트 스택에 닿지 않도록 형성하여 플로팅 채널의 커패시턴스를 크게하고 GIDL(Gate Induced Drain Leakage)을 크게 줄여 유지 특성을 크게 개선할 수 있다. 본 발명에서는 이러한 특성을 얻을 수 있는 셀 소자의 구조와 그 소자의 제조방법을 제공하며, MOS 기반의 DRAM 셀 소자의 축소화 특성과 성능이 개선되고 메모리 용량이 증가 됨을 특징으로 함.
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지식재산 분야 | 전자 | 지식재산 단계 | 연구개발 완료 |
지식재산 거래형태 | 권리양도 | 지식재산 거래조건 | 협의 후 결정 |
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