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지식재산 판매 | 고성능 단일 트랜지스터 플로팅 바디 DRAM 소자 및 그 제조 방법

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작성자 이성 국제특허법률사무소 작성일18-12-12 13:20 조회3,364회 댓글0건

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지식재산종류특허국가한국
명칭           고성능 단일 트랜지스터 플로팅 바디 DRAM 소자 및 그 제조 방법

권리자(출원인)

서울대학교산학협력단발명자이종호
출원일2009.02.19.출원번호10-2009-0013849
공개일2010.08.27.공개번호10-2010-0094732
등록일2011.10.07.등록번호10-1073643
지식재산 개요 및 특징

본 발명의 목적은 셀 커패시터를 사용하지 않는 고성능 단일 트랜지스터 DRAM 셀 소자를 제공하는 것이다. 본 발명의 소자는 이중-게이트 구조를 갖고 있으며, 하부에 비휘발성 기능을 위한 게이트 스택과 제어전극을 구비하고 있으며, 상부에는 게이트 전극을 갖고 있다. 하부의 비휘발성 기능을 갖춤으로서쓰기1”쓰기0” 사이의 센싱(sensing) 마진(margin)을 크게 하고 유지(retention) 특성을 크게할 수 있다. 특히, 셀 소자의 소스와 드레인 영역이 상기 제어전극 위에 형성된 게이트 스택에 닿지 않도록 형성하여 플로팅 채널의 커패시턴스를 크게하고 GIDL(Gate Induced Drain Leakage)을 크게 줄여 유지 특성을 크게 개선할 수 있다. 본 발명에서는 이러한 특성을 얻을 수 있는 셀 소자의 구조와 그 소자의 제조방법을 제공하며, MOS 기반의 DRAM 셀 소자의 축소화 특성과 성능이 개선되고 메모리 용량이 증가 됨을 특징으로 함.




 


 


지식재산 분야                                            

전자지식재산 단계연구개발 완료

지식재산 거래형태     

권리양도지식재산 거래조건협의 후 결정


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