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지식재산 판매 | 반도체 적층 구조, 이를 이용한 질화물 반도체층 분리방법 및 장치

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작성자 이성 국제특허법률사무소 작성일19-02-13 14:19 조회2,652회 댓글0건

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지식재산종류특허국가한국
명칭           반도체 적층 구조, 이를 이용한 질화물 반도체층 분리방법 및 장치

권리자(출원인)

서울대학교 산학협력단,주식회사 헥사솔루션발명자윤의준 외4명
출원일2017.02.24.출원번호10-2017-0024938
공개일2017.03.06.공개번호10-2017-0023920
등록일2017.12.08.등록번호10-1809252
지식재산 개요 및 특징

본 발명에 따른 반도체 적층 구조는 질화물 반도체와 이종인 단결정 기판, 기판과의 사이에 빈 공간(cavity)이 정의되도록 기판 상에 형성되고 기판과 같은 결정 구조로 적어도 일부 결정화된 무기물 박막, 및 빈 공간 위의 결정화된 무기물 박막 상에서부터 성장된 질화물 반도체층을 포함한다. 본 발명에 따른 질화물 반도체층 분리방법 및 장치는 기판과 질화물 반도체층 사이를 기계적으로 분리시킨다. 기계적인 분리는 기판과 질화물 반도체층에 수직 방향 힘을 주어 분리하는 방법, 수평 방향의 힘을 주어 분리하는 방법, 상대적인 원운동의 힘을 주어 분리하는 방법, 또는 그 조합의 방법으로 수행할 수 있음을 특징으로 함.




지식재산 분야                                            

전자지식재산 단계연구개발 완료
지식재산 거래형태      권리양도/라이센싱지식재산 거래조건협의 후 결정


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