권리자(출원인)

본 발명에 따른 반도체 적층 구조는 질화물 반도체와 이종인 단결정 기판, 기판과의 사이에 빈 공간(cavity)이 정의되도록 기판 상에 형성되고 기판과 같은 결정 구조로 적어도 일부 결정화된 무기물 박막, 및 빈 공간 위의 결정화된 무기물 박막 상에서부터 성장된 질화물 반도체층을 포함한다. 본 발명에 따른 질화물 반도체층 분리방법 및 장치는 기판과 질화물 반도체층 사이를 기계적으로 분리시킨다. 기계적인 분리는 기판과 질화물 반도체층에 수직 방향 힘을 주어 분리하는 방법, 수평 방향의 힘을 주어 분리하는 방법, 상대적인 원운동의 힘을 주어 분리하는 방법, 또는 그 조합의 방법으로 수행할 수 있음을 특징으로 함.

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